美国应用材料（AMAT）宣布投产新型RTP（Rapid Thermal Processing）装置“Vulcan”。这款装置主要面向28nm以后的工艺，采用从晶圆背面进行加热的方式，提高了加热时的温度均匀性。

　　随着微细化的发展，晶体管对工艺温度依赖性越来越高。也就是说，RTP的温度不均会直接导致晶体管的性能不均。为了解决这个问题，应用材料开发出了面向28nm以后工艺的新型RTP装置。原来的装置从晶圆表面照射用于加热的灯光，而此次的装置则改为从背面照射。由此，可以抑制因晶圆表面的图案形状等而产生的温度不均。另外，还配备了可在室温到1300℃的范围内，通过闭环（Closed Loop）实现动态温度控制的机构。

　　据应用材料介绍，此次的RTP装置在通过蜂窝灯阵列（Honeycomb Lamp Array）以200度/秒的速度对晶圆进行加热时，可将芯片内的温度均匀性控制在3℃以内。另外，从晶圆表面进行加热的传统方式，在改变芯片制造种类时，需要根据芯片对RTP的工艺处方进行改变和优化，而此次的方式则省去了这个步骤。可以说，这个优点在制造品种繁多的硅代工等领域尤其有用。