凸版印刷在次世代显示材料透明氧化物半导体的薄膜电晶体上,以涂布方式,在形成薄膜的同时,将与动作速度相关的电子移动度提升至原本10倍的水准。一般而言,涂布方式可高效率形成氧化物半导体薄膜,但在动画显示切换TFT使用的电子移动度将降低,为其课题。加上电压时的电子移动度达1V.s平均5.4平方公分,原本则仅为0.5平方公分。预计可应用于高精细、 画面尺寸超过80寸的液晶面板或OLED显示面板上。
原本成膜处理时间约需30分钟,在改善成膜制程前后热处理工法后,仅需2-3分即可。TFT的制程最高温度为270度C,较一般方法低约100度C左右。藉由透明氧化物半导体涂布条件的改良, 2-3年后以达到150度C的热处理为目标。
试作的显示面板尺寸为2寸,采用玻璃做为TFT基板。以旋转涂布方式,使材料形成薄膜,像素数达1寸平均400像素,实现与运用真空蒸镀工法相同的高解析度。一般氧化物半导体采用真空蒸镀的成膜工法,为达到真空全程需使用大型设备,旋转涂布工法由于不需要真空设备,可达到降低成本的效益。
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