Fuji Film发表高穿透率与弯曲性之透明导电薄膜

编辑：hattie 2011-01-25 09:15:03 浏览：760 来源：

　　Fuji Film发表新开发出，具有高穿透率、弯曲性之透明导电薄膜。主要将用于触控面板，以取代ITO薄膜为目标。新产品在1月19日~21日于东京举行之先端电子材料EXPO上，展出试作品。Fuji Film乃应用Negative Film技术，藉由高感度银盐、数字曝光，成功开发出新型透明导电薄膜。薄膜上之配线，可任意搭配网状、波线状等形状。

　　此外，薄膜两面皆可成形。使用ITO进行两面配线时，则需要贴合两片电极。使用此次开发出的新产品因不需要该程序，可简化制程。而且由于表面与背面之电极相对位置不会产生偏离状况，理论上不会出现感度不一致之现象。另不仅平面，亦可支持3D之成形加工。

　　新产品之特性为在光穿透性约94%之状况下，薄膜电阻值为50Ω。Fuji Film表示，在光穿透性约94%之状况下，2011年度中可开发完成电阻值降低至一位数的薄膜。一般而言，光穿透率与电阻值存在正向连动关系，光穿透率提高，电阻值亦会随之大增。如何克服此问题，成为厂商开发新产品之重要课题。