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国家新型显示技术创新中心发布第八届中国创新挑战赛新型显示专题赛

编辑:chinafpd 2023-09-19 17:35:19 浏览:661  来源:

国家新型显示技术创新中心发布第八届中国创新挑战赛新型显示

第一批技术创新需求

 

第八届中国创新挑战赛(广东·国家新型显示技术创新中心)新型显示专题赛是由科技部指导、科技部火炬中心和广东省科学技术厅共同主办的以需求为核心促进科技成果转化的国家级赛事。根据《科技部关于举办第八届中国创新挑战赛的通知》(国科发火〔2023〕110号)有关部署要求,大赛聚焦我国新型显示产业关键材料和核心装备两大卡脖子问题,以解决新型显示产业技术需求为目标,面向社会公开征集解决方案,通过挑战”“比拼的方式,择优确定解决方案。

向国家新型显示技术创新中心各创新平台征集,我中心遴选11项产业共性技术创新需求,面向全国公告,寻求挑战方

  • 技术需求清单

本批发布的技术需求清单共11项,主要涵盖了半导体显示领域大模型、量子点材料与器件开发、反射式显示、TFT技术等领域,详见下表:

 

 

序号

需求编号

需求名称

研究内容

联合开发目标

发布单位

1

202301-1

半导体显示领域知识体系与大模型开发

1)开发半导体显示领域知识库

2)开发半导体显示领域的评测体系

3)大模型体系的训练与微调

4)大模型的部署使用、迭代更新及维护

 

以一套专业系统的形式体现, 拟设立基础及专业定制版两个版本, 面向领域内使用, 并可开展对外服务

国家新型显示技术创新中心本部

2

202301-2

高性能蓝色量子点材料与器件开发

1)高性能蓝色量子点关键材料开发

2)蓝色QLED器件关键功能材料开发

3)蓝色QLED器件开发及衰减机制研究

4)蓝色QLED打印器件与工艺关键技术开发

  • 旋涂蓝色QLED器件:CIE.y<0.06, 亮度1000 nitsCE≥12cd/A, LT95≥600h
  • 打印蓝色QLED器件:CIE.y<0.06, 亮度1000 nitsCE≥10cd/A , LT95≥300h

国家新型显示技术创新中心本部

 

3

202302-1

电润湿电子纸用关键氟树脂材料开发

1)无定形含氟聚合物合成技术

2)面向电润湿显示无定形含氟聚合物可控关键制备技术

3)含氟聚合物的放大生产关键技术

 

  • 介电常数≥ 2.0
  • 接触角≥ 120 ± 5°C
  • 透光率≥ 99 %
  • 玻璃化温度:130~150°C
  • 溶液粘度:100~1000 cps

反射式显示创新平台:华南师范大学

4

202303-1

超高迁移率氧化物TFT开发

  1. 高迁移率、高稳定性稀土掺杂氧化物半导体材料、器件、驱动与集成关键技术

2)稀土掺杂氧化物TFT器件结构及界面优化关键技术

3)低功耗、高密度像素阵列集成及封装技术

  • µ≥100 cm2/Vs, Vth≤ 1.5 V, Ion/Ioff≥108, SS≤200 mV/dec
  • PBTS Delta Vth ≤ 1.0V(测试条件Vgs=20 V, Vds=0.1 V, 温度=60℃
  • NBITS Delta Vth ≤2.0 V(测试条件Vgs=-20 V, Vds=0.1 V,温度=60 ℃,白光照射亮度≥6000 nits
  • 最高支持到360Hz动态刷新率氧化物驱动背板

 

TFT技术创新平台:广州新视界光电科技有限公司,华南理工大学

5

202304-1

扫描探针显微及光谱检测方法与装置研发

1)高精度、高效率扫描探针成像关键技术

2)针尖近场光场分布及光场漩涡理论探究

3)显示器件材料的振动光谱分析关键技术

4)显示器件载流子输运、复合过程及机理研究

5)显示器件辐射发光、激子衰变过程及机理研究

  • 超分辨扫描探针显微及光谱检测设备1
  • 设备空间分辨率优于10nm
  • 设备光谱分辨率优于0.1nm

 

显示装备创新平台:季华实验室。

 

6

202304-2

新型柔性OLED器件空间型ALD封装技术开发

  1. 高均匀性、高致密、高透光、低应力、

高速率无机薄膜沉积技术

2)高速动态流场控制技术

 

开发一套空间型ALD设备, 封装薄膜可实现以下性能:

  • 水汽透过率≤ 10-4g/m2/day@100nm
  • 成膜速率≥ 20nm/min
  • 厚度非均匀性< ± 5%@100nm
  • 内应力< ± 100Mpa@100nm
  • 可见光透过率 97%@100nm
  • 台阶覆盖率 90%

显示装备创新平台:季华实验室。

 

7

202305-1

PPI FMM Mask开发

1)高精度FMM Mask基材(InVar合金或铁镍合金)开发技术

2)高精度FMM Mask图案化方案(电镀或激光刻蚀)

3)高精度FMM Mask制作工艺

 

 

像素密度达到1500PPIFMM Mask

 

蒸镀OLED创新平台:维信诺科技股份有限公司

 

8

202305-2

显示用可拉伸导电材料开发

1)超高拉伸率导电材料开发

2)适用拉伸显示低电阻关键技术开发

  • 拉伸率:20%~50%,电阻变化率≤ 15%
  • 拉伸回复率≥ 99%

蒸镀OLED创新平台:云谷(固安)科技有限公司

9

202306-1

超高密度GaN

 Micro-LED微显示

1)高质量GaN Micro-LED外延材料生长关键技术

2)高性能Micro-LED器件的设计与制备技术

3Micro-LEDCMOS背板键合集成技术

4)基于硅基CMOSMicro-LED显示样机集成技术

  • 单个GaN Micro-LED像素的台面尺寸为5μm×5μmmax6μm×6μm),台面中心间距不大于8μm
  • 0.7吋显示样机像素分辨率为1920×1080(像素密度超过3000PPI)、可视角度:80°/80°/80°/80°、亮度不小于300,000 cd/m2
  • Micro-LED样机可工作温度:-20℃+60℃

Micro-LED显示创新平台:福州大学、闽都创新实验室

 

10

202301-3

基于喷墨打印工艺的Mini-LED显示封装技术开发

1Mini-LED显示用打印封装黑色掩膜材料开发

2Mini-LED显示基板、芯片及掩膜材料适配技术开发

3)适用于Mini-LED显示用喷墨打印关键工艺技术开发

  • 掩膜厚度:5-50μm
  • 厚度均一性:≤7%@5-20μm≤10%@20-50μm
  • 边缘线性精度:≤ ± 15μm
  • Mura要求:无线性Mura
  • Mini-LED芯片上表面无墨水材料残留

国家新型显示技术创新中心本部。

 

11

202307-1

激光显示用高功率蓝光半导体激光器

1)大失配异质结激光材料设计、生长和调控关键技术

2)载流子的泄漏抑制、光增益增强与光损耗抑制技术

3)器件可靠性提升及应用技术

  • 蓝光 LD 激光器功率≥ 6W
  • 激光器波长 460nm ± 5nm
  • 激光器寿命≥ 10000h

 

激光显示创新平台:中国科学院理化技术研究所,杭州中科极光科技有限公司

 

 

二、挑战须知

(一)挑战资格:

遵守国家法律法规及大赛规则且具有相应研发能力的高等院校、研究机构、企业和技术团队等均可报名参加挑战。

(二)挑战报名:

1、报名前,请来电与大赛承办方开展技术对接交流

2、报名材料(详见附件2《挑战报名表》、附件3中国创新挑战赛声明通过大赛指定邮箱(yangdy@nctid.com)提交,截止时间为2023年10月逾期不再受理。同时提交WORD版及加盖公章的PDF扫描件,解决方案一经投递,不予退还。扫描件与纸质版须内容一致,缺一视为材料不完整,取消现场赛推荐资料; 

3、经与大赛承办方对接后,请参照附件4步骤在中国创新挑战赛官网( http://challenge.chinatorch.gov.cn)完成注册。

(三)材料邮寄地址及联系人

地址:广东省广州市黄埔区光谱中路11号云升科学园A栋

联系方式:杨东艳 15521059006

          庄佳庆 18819155538

三、评审机制

专家赛前初选+现场赛专家评审。严格按照客观、公平、公正、科学、择优的原则,根据科技部挑战赛相关文件要求,通过技术、承担能力与工作基础评价等,对挑战者进行综合排名,评选结果当场公布。

四、大赛奖励

针对经挑战赛达成合作,且取得预期成果的技术解决方,给予项目合作资金支持。同时设置以下奖励:

  1. 参赛双方分别颁发荣誉证书;
  2. 总决赛设置一等奖3名、二等奖3名、三等奖3名,颁发奖牌、荣誉证书;
  3. 总决赛获奖项目优先推荐列入国创中心项目库,择优予以支持;
  4. 获奖项目优先享受科技金融、股权投资、人才政策等方面支持。
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