据国星光电官方消息，近日，国星光电Micro LED超高清显示研发项目迎来关键里程碑式进展，成功点亮1.84英寸Micro LED全彩显示屏——nStar Ⅲ，该屏采用LTPS-TFT玻璃基驱动背板，像素间距缩小到0.078mm，分辨率360*480，采用全倒装无衬底LED像素发光单元，可实现屏幕峰值亮度＞1500nits，强光照射下仍可保持高清显示画面，相关技术成果未来有望在Micro LED手表等智能穿戴产品领域广泛应用。

　　据国星光电介绍，“十四五”开局之始，各地方政府积极把握新时期经济社会发展战略方向，构建新发展格局。广东省率先发布《广东省制造业高质量发展“十四五“规划》，将“超高清视频显示”纳入十大战略性支柱产业，推动超高清终端向规模化、产业化、高端化发展。在该背景下，国星光电前瞻布局战略新兴产业，牵头承担的Micro LED全彩显示屏研发项目分别获批国家重点研发计划、广东省重点领域研发计划等科研项目。基于自主搭建的Micro LED创新研发平台，国星光电全力推进Micro LED新型显示项目开发，按下关键技术攻坚进程的“加速键”。

　　国星光电nStar Ⅲ技术优势

　　高精度转移：采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线，实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。此外，国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合。

　　高集成封装：采用国星光电自主研发的Micro LED玻璃基封装专利技术，外形厚度更薄，平整度更高，可兼顾散热与显示一致性。

　　至此，国星光电已实现像素间距从P0.X至P0.0X等多样化场景应用的“未来国星屏”矩阵。接下来，公司将继续深耕Micro LED微显示赛道，开发硅基AR显示技术，打造更全面、更多元化的Micro LED应用领域布局，同时建立产品、技术及解决方案多元化平台体系，期待与客户联合创新，推进新产品、新技术的商业化应用，合力构筑更美好的未来视界。