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想要去跟TFT Array工艺大神交流,一定要先看这篇文章

编辑:liuchang 2018-05-07 08:53:46 浏览:5170  来源:未知

  1、G工程

  成膜工程——G层Sputter (AL-Nb, Mo-Nd)

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PR曝光工程——G-Mask PR曝光

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刻蚀工程——G层湿刻

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剥离

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2、D/I工程

  成膜工程——PCVD (SiNx)

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成膜工程——PCVD (3层CVD)

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成膜工程——D层 Sputter (Cr)

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PR曝光工程——D-Mask PR曝光

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刻蚀工程——D层湿刻1

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Island干刻

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D层湿刻2

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Channel干刻

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剥离工程——剥离

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3、C工程

  成膜工程——PECVD (SiNx)

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PR曝光工程——C-Mask PR曝光

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刻蚀工程——Contact Hole干刻

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剥离

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4、PI工程

  成膜工程——Sputter (ITO)

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PR曝光工程——PI-Mask PR曝光

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刻蚀工程——ITO湿刻

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剥离

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5、ARRAY工艺介绍

  洗净:清洁基板表面,防止成膜不良

  溅射(SPUTTER):成Gate膜、D/S膜和Pixel膜

  PECVD:成a-Si膜和SiNx膜

  PR/曝光:形成与MASK图案相一致的光刻胶图案

  湿刻(WE):刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜

  干刻(DE):刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜

  剥离:去掉残余的光刻胶

  退火:修复晶体损伤,改善晶体性质

  检查修复:监控产品不良,修复不良

  5.1 洗净

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5.2 洗净方法及原理概述

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5.3 Sputter

  溅射( Sputter )是指利用电场加速的气体离子对靶材的轰击,使成膜材料从靶材转移到基板的物理成膜方法。

  Sputter在工艺流程中的位置:

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TFT中Sputter薄膜的种类和作用:

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G配线:Al,传递扫描信号

  D配线:Cr,传递数据信号

  像素电极:ITO,存储数据信号

  5.4 Sputter设备

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5.5 PECVD

  G-绝缘膜:SiNx,绝缘

  a-Si:非晶硅,导电沟道

  n+a-Si:N掺杂非晶硅,欧姆接触

  PA-SiNx:SiNx,保护

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5.6 PR/曝光

  由洗净、涂覆、曝光、显影四大部分组成。

  洗净: Excimer UV →RB+AAJet→直水Spray→A/k

  涂覆: 除水干燥→ Slit涂覆→ Spin 涂覆→减压干燥→端面清洗→前烘

  曝光

  显影:显影1→显影2→循环纯水Spray→直水Spray→A/K →后烘

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5.7 显影

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5.8 湿刻

  湿刻的目的

  湿刻是通过对象材料(一般为金属导电膜)与刻蚀液之间的化学反应,对对象材料进行刻蚀的过程。

  在TFT-LCD工艺中,主要是对Gate层(Mo/Al)、Drain层(Cr)及像素层(ITO)进行刻蚀。

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湿刻设备概要

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湿刻装置的构成

  Etching槽:对基板进行刻蚀处理

  水洗槽:通过纯水将刻蚀液冲洗

  干燥槽:用A/K干燥基板

  5.9 干刻

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干刻原理:

  反应气体在高频电场作用下发生等离子体(Plasma)放电。

  等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。

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干刻装置:

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大气Robot——从Cassette和L/L之间的搬送

  L/L (Load Lock)——大气压和真空两种状态之间的切换

  T/C (Transfer Chamber)——L/L和P/C之间的搬送。防止不纯物进入P/C,P/C内的特气外泄

  P/C (Process Chamber)——真空中进行Plasma的物理、化学反应,进行刻蚀

  5.10 剥离

  剥离简介:刻蚀(干刻、湿刻)完成后除去光刻胶的过程。

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剥离装置示意图:

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剥离槽:利用剥离液溶解并剥离光刻胶

  IPA槽:利用IPA置换剥离液。(防止Al腐蚀)

  水洗槽:用纯水洗净处理液

  干燥槽:利用A/K干燥基板

  5.11 热退火

  经过适当时间的热处理,修复晶体损伤,改善晶体性质。

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6 4Mask工艺PR后像素照片

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