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关于黄光及其100个疑问,这篇文章已全面解答

编辑:liuchang2018-04-02 10:38 浏览评论 评论0 赞    来源: 互联网

  利用光线透过光罩照射在感光材料上,再以溶剂浸泡将感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留,如此所形成的光阻图案会和光罩完全相同或呈互补。由于微影制程的环境是采用黄光照明而非一般摄影暗房的红光,所以这一部份的制程常被简称为“黄光”。微影制程很好地实现了黄光工艺触摸屏视觉上的精准度。

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黄光制程百问百答

  1、PHOTO 流程?

  答:上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测

  2、何为光阻?其功能为何?其分为哪两种?

  答:Photoresist(光阻).是一种感光的物质,其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。

  3、何为正光阻?

  答:正光阻,是光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。

  4、何为负光阻?

  答:负光阻也是光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感光的部分则被显影过程去除。

  5、什幺是曝光?什幺是显影?

  答:曝光就是通过光照射光阻,使其感光;显影就是将曝光完成后的图形处理,以将图形清晰的显现出来的过程。

  6、何谓 Photo?

  答:Photo=Photolithgraphy,光刻,将图形从光罩上成象到光阻上的过程。

  7、Photo主要流程为何?

  答:Photo的流程分为前处理,上光阻,Soft Bake, 曝光,PEB,显影,Hard Bake等。

  8、何谓PHOTO区之前处理?

  答:在Wafer上涂布光阻之前,需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作,以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake,HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除,然后进行HDMS工作,以使Wafer表面更容易与光阻结合。

  9、何谓上光阻?

  答:上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴(Nozzle)被喷涂在高速旋转的Wafer表面,并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。

  10、何谓Soft Bake?

  答:上完光阻之后,要进行Soft Bake,其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽,同时也将光阻中的残余内应力释放。

  11、何谓曝光?

  答:曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程,同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。

  12、何谓PEB(Post Exposure Bake)?

  答:PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应,以使被曝光的图形均匀化。

  13、何谓显影?

  答:显影类似于洗照片,是将曝光完成的Wafer进行成象的过程,通过这个过程,成象在光阻上的图形被显现出来。

  14、何谓Hard Bake?

  答:Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发,并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

  15、何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺?

  答:BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质,TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射,以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。

  16、何谓 Iline?

  答:曝光过程中用到的光,由Mercury Lamp(汞灯)产生,其波长为365nm,其波长较长,因此曝光完成后图形的分辨率较差,可应用在次重要的层次。

  17、何谓 DUV?

  答:曝光过程中用到的光,其波长为248nm,其波长较短,因此曝光完成后的图形分辨率较好,用于较为重要的制程中。

  18、I-line与DUV主要不同处为何?

  答:光源不同,波长不同,因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程(0.35微米以上)或者较先进制程(0.35微米以下)的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。

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