硅基GaN LED及光萃取技术实现高性价比照明
摘要：传统的氮化镓（GaN） LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆（6"或更大）来发展GaN，因为硅衬底可显著降低成本，而且可以在自动化IC生产线上制造
阅读：11792014年06月25日 14:52:59
摘要：传统的氮化镓（GaN） LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆（6"或更大）来发展GaN，因为硅衬底可显著降低成本，而且可以在自动化IC生产线上制造
阅读：11792014年06月25日 14:52:59摘要：目前在 LED制程中，蓝宝石基板虽然受到来自Si与GaN基板的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石基板的发展方向是大尺寸与图案化（PSS）。由于蓝宝石硬度仅次于钻石，因此对它进行减薄与表面平坦化加工非常困难，
阅读：10702014年06月25日 14:52:59摘要：技术发展和工艺改进，使 LED成本大幅度下降，推动了LED应用的全面发展。为进一步提升LED节能效果，全球相关单位均投入极大的研发力量，对LED性能、可靠性进行深入的研究开发，特别在LED衬底、外延、芯片的核心技术研究方面，已取得突破性成果。对LED发展提出
阅读：11972014年06月25日 14:52:59摘要：上游芯片技术一直是国内 LED的瓶颈，核心技术大部分都掌握在国外，下面介绍一下芯片制程的工艺： 1. LED芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2.LED扩片 由于LED芯片在划片后依然排
阅读：10352014年06月25日 14:53:00摘要：LED 具有体积小，耗电量低、长寿命环保等优点，在实际生产研发过程中，需要通过寿命试验对 LED芯片 的可靠性水平进行*价，并通过质量反馈来提高LED芯片的可靠性水平，以保证LED芯片质量。 1、引言 作为电子元器件， 发光二极管 (LightEmittingDiode-led)已出
阅读：10952014年06月25日 14:53:00摘要：日前，在广州举行的2013年 LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓 大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底大功率LED研发及产业化和大尺寸硅衬底LED技术的最新进展
阅读：12832014年06月25日 14:53:00摘要：1.正向电压下降，暗光 A:一种是电极与发光资料为欧姆触摸，但触摸电阻大，首要由资料衬底低浓度或电极残缺所形成的。 B:一种是电极与资料为非欧姆触摸，首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印，散布方位。 别的封装进程中也能够形成正
阅读：14792014年06月25日 14:53:00摘要：1. LED芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑lockhill芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2. LED扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小(约0.1mm)，不利于后工序的操作。采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的
阅读：13912014年06月25日 14:53:01摘要：LED 板上芯片(Chip On Board,COB)封装流程 首先是正在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点， 然后将硅片 间接安放正在基底表面， 热处理至硅片牢固地固定正在基底为行， 随后再用丝焊的方法正在硅片和基底之间间接建立电气连接
阅读：17552014年06月25日 14:53:01
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