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LED照明，前途一片光明吗？

摘要：“估计日本LED照明市场到2015年将达到顶峰”，日本爱丽思欧雅玛公司执行董事兼LED业务本部长石田敬预测道。笔者对此很吃惊，原因是，这意味着一直作为增长领域备受期待的LED照明市场最快到明年就要开始缩小了。虽然这是率先导入LED照明的日本特殊情况，但日

阅读：8142014年02月25日 12:43:50

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护肤品也用上了碳材料

摘要：富勒烯、碳纳米管（CNT）和石墨烯，其形状甚至发现年代都很接近，称得上是“碳纳米三兄弟”材料。然而在电子部件领域的应用上，唯富勒烯目前还算不上醒目。充其量也就是在具备官能团的富勒烯衍生物被用作有机太阳能电池的n型半导体材料的程度。但在电子部件

阅读：7852014年02月25日 12:43:50

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从机壳到芯片，“全碳化”竞争拉开帷幕

摘要：不少观点都认为，碳纳米管及石墨烯等各种碳类材料将取代现有材料、比如硅，成为电子领域的主角。硅作为半导体材料，其性能并不高，也曾数度出现过可与之竞争的候补材料，但硅材料总能凭借某些因素而胜出。不过，硅材料也正在接近其真正的极限。最有望成为硅

阅读：6762014年02月25日 12:43:50

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10M～10GHz频带降噪片，用导电和磁性两层薄膜实现

摘要：美国Molex、日本户田工业和广岛市立大学共同开发出了可在10M～10GHz频带抑制电磁噪声的降噪片“HOZOX”。Molex说，能够应对1GHz以上高频带噪声的普通降噪片，“在低频带很难获得出色的降噪效果”。而新开发品的降噪性能在2GHz以上与原产品相同，在2GHz以下则

阅读：8722014年02月25日 12:43:51

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东丽开发出迁移率达13cm2/Vs的涂布型CNT-TFT，2016年实用化

摘要：东丽2014年2月12日宣布，采用单层碳纳米管（CNT）制造的涂布型TFT获得了较高的工作性能，载流子迁移率达到13cm2/Vs，电流的导通/截止比达到106。东丽表示，计划2016年前后实现实用化。东丽试制的单层CNT-TFT（摄影：东丽）东丽在日本新能源产业技术综合开

阅读：10162014年02月25日 12:43:51

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“迈出量子计算机的第一步”，东京大学采用GaN类量子点使单一光子源在室温下工作

摘要：日本东京大学纳米电子研究机构宣布，采用可进行位置控制的GaN类纳米线量子点，在室温下成功生成了单一光子。单一光子源是让单个光子承载信息进行量子信息处理的重要元件之一。该机构这样定位此次的成果：“向能发挥飞跃性计算能力的量子计算机的实用化迈出了

阅读：11132014年02月25日 12:43:52

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胜算几何？巴斯夫在日本设立电池基地

摘要：“精神上的联系固然重要，但物理距离更重要”——日本的这种商业习惯让世界第一大化工企业也行动起来。巴斯夫于2014年2月5日在日本兵库县尼崎市的尼崎研究孵化中心（ARIC）内新设了“尼崎研发中心电池材料研究所”，专注于充电电池正极材料和电解液的研究

阅读：6792014年02月25日 12:43:52

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“热电转换”的含义和发展概况

摘要：热电转换是不需使用机械运动部件就能够将热能转换成电能的技术的总称。热能实际表现为温度差，因此热电转换也称温差发电。目前，热电转换的主流是基于塞贝克效应的半导体技术。松下日前开发出了可大幅削减碲化铋（BiTe）类热电转换元件和模块制造成本的方法

阅读：8502014年02月25日 12:43:52

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日本开发出传感器终端用非易失性MCU，耗电量可降至1/80

摘要：NEC与日本东北大学的共同研发小组开发出了耗电量可降至原来的1/80的无线传感器终端用非易失性MCU。技术详情将在“International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）2014”（2014年2月9～13日，美国旧金山）上发表［演讲序号：10.5］，演讲题目为“A 9

阅读：7052014年02月25日 12:43:53

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