罗姆：沟道型SiC MOSFET即将实用化
摘要：罗姆在PCIM Europe 2014并设的会议上发表演讲，介绍了耐压为1200V的沟道型SiC MOSFET的情况。除了这种MOSFET的特点以外，还公布了实用化时间，计划从2014年秋季开始陆续样品供货。该公司此前已经投产了平面型SiC MOSFET，此次是首次投产沟道型SiC MOSFET。即
阅读：7232014年05月30日 10:11:22
摘要：罗姆在PCIM Europe 2014并设的会议上发表演讲，介绍了耐压为1200V的沟道型SiC MOSFET的情况。除了这种MOSFET的特点以外，还公布了实用化时间，计划从2014年秋季开始陆续样品供货。该公司此前已经投产了平面型SiC MOSFET，此次是首次投产沟道型SiC MOSFET。即
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阅读：11112014年05月30日 10:08:07
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