东芝发布显示器用氧化物半导体TFT

编辑：hattie 2010-12-06 08:51:31 浏览：1044 来源：日经BP社

　　　　东芝2010年12月1日宣布，开发成功了用于显示器、具有“全球最高水平的可靠性”的氧化物半导体TFT。TFT可靠性试验之一的BTS（Bias Temperature Stress）试验前后的阈值电压变化量控制在了50mV以内。另外，BTS试验是在温度为＋70℃、栅电压为±20V的状态下，连续驱动2000s的试验。

　　　　此次东芝开发的氧化物半导体TFT，其中的通道材料采用了非结晶IGZO（In-Ga-Zn-O）。IGZO TFT比现有大型液晶面板的驱动元件所采用的非晶硅TFT的载流子迁移率约高10倍，不过阈值电压的变化此前却一直是个问题。

　　　　东芝发现IGZO TFT的可靠性与通道材料内部氢的状态有关。在优化IGZO TFT的成膜条件以及成膜后热处理（淬火）温度的同时，通过控制绝缘膜中的氢的浓度，在玻璃基板上以320℃的温度形成了IGZO TFT。此次制成的IGZO TFT的载流子迁移率为13.5cm2/Vs。

　　　　另外东芝还试制了采用此次IGZO TFT的3英寸有机EL面板。在基板上形成了栅极驱动电路。

　　　　今后，东芝将推进氧化物半导体TFT形成工艺的低温化以及进一步确保其可靠性。以便实现基板材料从现在的玻璃材料变为树脂材料，实现薄型、轻质的“平板显示器”的目标。