元器件交易网讯 2014北京微电子研讨会10月23日在北京经济技术开发区举行。中国IGBT技术创新与产业联盟理事长丁荣军针对“IGBT技术的创新与产业发展”进行演讲，他总结了现阶段IGBT技术的发展状况、价值、和面临的挑战。

　　IGBT是在MOS器件基础上发展起来的新型功率半导体器件，是传统功率半导体物理和微电子制造技术两者有机结合的产物。功率半导体器件是变频、变流、变压、功率管理和功率放大的核心器件，广泛应用于轨道交通、电力、工业控制等领域，在社会生活中具有不可替代的关键作用。

中国IGBT技术创新与产业联盟理事长丁荣军

　　技术与产业发展状况：

　　1.IGBT技术特点

　　物理机理：高压大注入下的特殊物理机制（电导调制，寿命控制....）

　　特色工艺：深结、厚膜、薄片、高压终端及背面特色工艺

　　技术难点：功率密度高，最高结温已达200摄氏度，动静态参数折衰难

　　2.国内外发展现状

　　已建成全球第二条、国内首条8英寸专业IGBT芯片线及全自动高压模块封装线，目前正逐步实现批量投产。

　　具备年产12万片8英寸芯片和100万只模块的能力，产品覆盖650V-6500V，规模脐身世界前列。

　　拥有国际先进的工艺技术平台，以及成熟的高压平面栅IGBT技术与中低压沟槽IGBT技术。

　　对于IGBT产业所面临的挑战：

　　丁荣军说由于我国起步较晚，IGBT产业的长期健康发展，需要重视发展有自主知识产权的技术，规划建立知识产权共享平台。继续扩大IGBT耐压和电流的范围，将带来器件终端设计与制造、芯片减薄、材料与制造均匀性提升等方面的挑战。