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【IDW】重新点燃实用化希望之火的微晶硅-TFT

编辑:hattie 2009-12-15 09:48:48 浏览:1049  来源:

  在国际显示器技术学会“16th International Display Workshops(IDW '09)”有源矩阵显示器会议上,夏普的微晶硅-TFT液晶面板成了这次关注的焦点(论文序号AMD-2)。5年前,微晶硅-TFT在“SID(Society for Information Display)”学会上也曾名噪一时,但由于实际生产困难,最近几乎销声匿迹。此次,随着夏普亲自试制面板,在面板中安装扫描驱动电路和非晶Si(a-Si)TFT难以配备的多路分配器(DeMUX:De-multiplexer)电路,再配合新闻发布会上的演示,外界对于“实际投产”的期待随之点燃。

  TFT的迁移率为1.5cm2/Vs左右,数字虽然不大,但据称可靠性有大幅提升,可以应用于有机EL面板用TFT底板和DeMUX电路。如果设计得当,120Hz驱动2K×4K面板也能够实现。由于只需优化等离子CVD的成膜条件即可,因此,第10代(底板尺寸2880mm×3130mm)a-Si TFT生产线也可以采用。这样,微晶硅-TFT就有望与氧化物TFT分庭抗礼,成为“新一代TFT的首选”。使用该TFT试制有机EL面板时,误差和可靠性能够达到什么程度?这一点十分令人期待。

  该试制面板的参数如下。

  屏幕尺寸 对角线12.1英寸

  像素 WXGA(1280×RGB×800)

  扫描驱动电路 内置

  1:3 DeMUX电路 内置

  驱动IC总数 2个

  根据推测,该TFT没有特别显眼的耀斑和串扰,像素TFT特性良好。夏普在后续发表(论文序号AMD2-2)中还表示,通过结合准分子激光退火,微晶硅-TFT的特性(使迁移率达到2.2cm2/Vs)得到了提升。

  低温多晶硅(p-Si)TFT方面,台湾统宝光电(TPO Displays )发表了借助面板内置型光电二极管实现背照灯自动亮度补偿功能的TFT液晶面板(论文序号AMD1-3)。p-i-m(metal)结构的堆栈型a-Si光电二极管利用低温p-Si TFT制造工艺形成于面板内。光电二极管的动态范围达到了5~5.5万勒克斯,能充分保证自动亮度补偿功能的工作裕度。而且,a-Si光电二极管采用p-i-m结构代替了p-i-n结构,这使得工程量的增加降到了最小。面板内置有配备工作阈值自我校正功能的比较器,只需完成控制器的初期设定,就能够充分抑制面板间亮度补偿灵敏度的偏差。

  随着驱动IC价格雪崩,板上系统的成本意义(即内置驱动电路的意义)正在消失,对于面临此局面的低温p-Si TFT,这是一场能够带来新附加值的现实性发表。而且,该光电二极管还能够应用于内嵌式触摸屏。希望这在不远的将来能够实现。

  AMD会议上还有很多关于低温p-Si TFT的有趣发表。东芝移动显示器发表了内置3bit像素内存,借助亚像素电极面积的二进制加权实现D-A转换的板上系统(论文序号AMD1-1)。夏普发表了利用PNLC将驱动频率降低至1Hz,通过配合内置像素内存实现96×96像素10~30μW超低功耗的板上系统(论文序号AMD1-2)。台湾友达光电(AUO)发表了内置非挥发性内存的低温p-Si TFT液晶面板(论文序号AMD1-4L)。(日经BP社)

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