东大发布面向RFID标签等的研究成果

编辑：hattie 2010-07-08 13:41:10 浏览：920 来源：日经BP社

　　　　东京大学在有源矩阵型显示器国际学会“AM-FPD 10”（2010年7月5～7日，在东京工业大学举办）上发布了应用于有机TFT的CMOS电路的研究成果（演讲序号：S1-5）。此次就采用富勒烯（C60）的n型TFT获得了27.7MHz截止频率、采用并五苯（pentacene）的p型TFT获得了11.4MHz截止频率（获得电流增益的频率上限）。今后，如果通过缩短通道长度等改进方法，将这些截止频率提高至100MHz左右，“便可利用有机TFT实现以1MHz以上频率工作的CMOS电路”（东京大学纳米量子信息电子研究机构特任副教授北村雅季）。

　　　　在决定TFT截止频率的多个要素中，采用C60的n型TFT及采用并五苯的p型TFT的载流子迁移率均可达到5cm2/Vs左右。要想应用于CMOS电路，余下的主要课题是如何控制缩短通道长度时的电阻增大问题。针对该问题，东京大学开发出了通过在Au源漏电极下插入AuNi层来减小接触电阻的方法。此外，还通过利用有机分子修饰Au电极的表面来减小功函数，进一步改善了TFT的特性。其结果是，通道长度为2μm的C60-TFT与并五苯TFT的截止频率分别提高到了10MHz以上。

　　　　该研究小组认为，基于有机TFT的CMOS电路有望应用于RFID标签。据介绍，由于RFID标签的数字电路截止频率仅为100kHz左右，因此如果能够利用有机TFT实现MHz工作，便可得到充分应用。