宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月30 日 — 日前,
今天发布的
T42系列的外形尺寸为M2,采用Vishay专利的无引线框架多阵列封装(MAP)技术,能够提高单位体积内的电容量。器件采用玻璃加固的密封底座,去掉了有问题的J引线结构和有关的电流环路,从而使ESL比传统电容器减小2/3。这样就实现了的10μF~470μF高容量,±10%和±20%的公差,以及16VDC~75VDC电压。由于容量高于传统器件,使用这些电容器可减少整体的元器件数量,并简化设计。
T42系列的工作温度为-55℃~+85℃,在电压降额条件下温度可达+125℃,最大纹波电流为0.7A~1.8A。器件符合RoHS,提供完全无铅或锡/铅端接。
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