嵌入式非挥发性记忆体厂力旺(3529-TW)宣佈，NeoBit单次可程式记忆体(One Time Programmable embedded non-volatile memory，OTP)硅智财成功拓展Full-HD小尺寸显示器驱动晶片(SDDI)应用，在已佈局之0.18um、0.13um、80nm高压製程平台外，进一步拓展至12吋55nm高压先进製程，提供成熟量产解决方案。

　　力旺表示，此先进製程能将晶片面积微小化，可以更小尺寸的静态随机存取记忆体(SRAM)实现Full-HD画质，同时提供具备低耗电的储存单元，为高解析度小尺寸显示器驱动晶片客户，依不同产品定位提供低耗电与轻巧体积之Full-HD画质面板显示方案。

　　此外，力旺指出，55nm高压先进製程更可做为超高画质(Ultra HD，UHD)甚至超高解析度(Wide Quad HD，WQHD)显示器SDDI之生产平台，协助驱动晶片客户抢攻下一世代高阶显示器应用商机。

　　近年来手机、平板应用程式朝向多元化与娱乐化演进，促使主流产品市场更加注重高解析度的萤幕画面、更长的电池寿命、与更轻薄的设计，这些市场趋势，引领行动通讯装置之解析度主流规格从WVGA/HD720推升至Full-HD高画质，甚至朝向UHD、WQHD演进，也使得强调具备高画质解析度、更小之晶片体积、以及省电低功耗设计等主流产品需求之规格，已成现阶段驱动晶片发展的必然趋势。

　　力旺指出，目前80nm、90nm高压製程生产之驱动晶片，受限SRAM存取速度及功耗问题，耗电较高，效能较不理想，难满足Full-HD SDDI对高容量SRAM的需求，然而当显示器朝向越高解析度演进，驱动晶片必然需内含更多高容量之SRAM， 55nm高压先进製程具备低耗电SRAM储存单元，可进一步微缩SRAM之尺寸，适合採用做为Full-HD小尺寸显示器驱动晶片之生产平台。

　　力旺强调，已领先在12吋晶圆55nm先进高压製程佈局，为Full-HD SDDI应用客户提供已臻成熟良率的解决方案，搭配力旺NeoBit OTP硅智财，使晶片客户得以利用参数设定的方式，协助调校显示驱动晶片的画面色彩，提高影像锐利度，使画质更清晰。