东丽2014年2月12日宣布，采用单层碳纳米管（CNT）制造的涂布型TFT获得了较高的工作性能，载流子迁移率达到13cm2/Vs，电流的导通/截止比达到106。东丽表示，计划2016年前后实现实用化。

东丽试制的单层CNT-TFT（摄影：东丽）

东丽在日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）的项目中，进行着利用单层CNT与有机半导体的复合化开发涂布型TFT的研究。这是一种通过抑制单层CNT凝集，使溶液中的单层CNT实现均匀分散的技术。

提高单层CNT的半导体纯度，载流子迁移率相应提高且偏差减小

除了前面提到的半导体复合化及均匀分散化技术之外，此次在制造TFT时还采用了技术研究联盟单层CNT融合新材料研究开发机构（TASC）开发的、具有极高半导体纯度的单层CNT。由此成功提高了TFT的载流子迁移率。

另外，通过利用这种单层CNT，还将TFT间的特性偏差降低到了原来的1/4。此前，材料中的金属型单层CNT会使电极间发生短路，导致偏差增大，而此次大幅减小了短路的发生概率，从而减少了特性偏差。

东丽表示，将在2014年3月17～20日举行的第61届应用物理学会春季学术演讲会上发布此次的成果。