日本媒体日刊工业新闻3月26日报道，日本神户制钢所（Kobe Steel）研发出具有“易于量产”特性的薄膜晶体管（TFT）用氧化物半导体材料，其左右耗电力性能的电子迁移率（electron mobility）达10平方公尺/V.S（伏特.秒），达现行主流的非晶硅TFT的10倍以上，足以媲美夏普已率先进行量产的氧化物半导体“IGZO”。
报道指出，藉由和夏普IGZO的相互竞争，可望加快次世代面板的研发脚步。据报导，夏普领先全球进行量产的IGZO是由“铟、镓、锌、氧”构成，惟神户制钢所研发的新材料的组成则不明。
日本媒体产经新闻曾于2012年12月8日报道指出，据业界关系人士指出，夏普的IGZO技术恐将于1-2年内“过时”，主因IGZO基础专利并非由夏普所拥有，而是由科学技术振兴机构（JST）所拥有，而JST倾向于广泛向日本国内外企业进行授权，其中JST已于2011年夏天和三星电子签订了IGZO的授权契约。
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